异质结龙头股,异质结电池上市公司

Q1:山煤国际是巴菲特概念股吗?

不是叫巴菲特概念,是叫hit电池概念股,硅异质结太阳电池光伏系统。

Q2:各行业板块的龙头股

万科A
建设银行

Q3:高科技龙头股有那些股票及编号?

首先,你的提问不准确,因为高科技是个笼统的概念,需要作进一步的细分,才能确定龙头股。否则,不同行业无法比较谁是龙头,谁不是龙头。
其次,目前细分的行业较多,龙头股也层出不穷,只能列举几只。比如大族激光,柔宇科技,卫士通,科大讯飞等。
第三,要动态地去看待高科技股,有些公司曾一度被人们看作高科技公司,甚至当成龙头,但随着详情披露,外皮已被扒掉,露出了小内内。比如所谓的基因龙头华大基因。还有一些公司,曾是高科技公司代表,但随着科技发展,已被边缘化了。比如一些计算机硬件生产公司等。

Q4:怎么区分和选择龙头股?

道富投资小编给你说下龙头股的特点和要具备的条件:
  第一部分 龙头股具备五个条件 
个股要成为龙头,必须具备五个基本条件:
第一,龙头个股必须从涨停板开始。不能涨停的股票不可能做龙头。事实上,涨停板是多空双方最准确的攻击信号,是所有黑马的摇篮,是龙头的发源地。
第二,龙头个股一定是低价的,一般不超过10元,2002年两只龙头000029深深房和600026中海发展都只有4元,惊人相似。因为高价股不具备炒作空间,不可能做龙头,只有低价股才能得到股民追捧,成为大众情人――龙头。
第三,龙头个股流通市值要适中,适合大资金运作,大市值股票和小盘股都不可能充当龙头。
第四,龙头个股必须同时满足日线KDJ、周线KDJ、月线KDJ同时低价金叉。
第五,龙头个股通常在大盘下跌末端,市场恐慌时,逆市涨停,提前见底,或者先于大盘启动,并且经受大盘一轮下跌考验。
第二部分 龙头股识别特征
龙头个股的识别,要求具备丰富的实盘经验,实践中我们总结出用两个特征识别龙头个股。
第一,从热点切换中变别龙头个股。通常大盘经过一轮急跌,会切换出新的热点,如2002年3月深圳本地股,龙头000029深深房,2002年6月金融证券板块,龙头000562宏源证券。
第二,用放量性质识别龙头个股。个股的放量有攻击性放量和补仓性放量两种,如果个股出现连续三日以上放量,称为攻击性放量,如果个股只有单日放量,称为补仓性放量,龙头个股必须具备攻击性放量特征。
第三部分 龙头股买卖要点及技巧
买入技巧:实盘中,要学会只做龙头,只要热点,只做涨停,选择的操作标的,
要求同时满足三个条件:
1、周KDJ在20以下金叉;
2、日线SAR指标第一次发出买进信号;
3、底部第一次放量,第一个涨停板。
买入要点:龙头个股涨停开闸放水时买入,未开板的个股,第二天该股若高开,即可在涨幅1.5~3.5%之间介入。
卖出要点和技巧:
1、连续涨停的龙头个股,要耐心持股,一直到不再涨停,收盘前10分钟卖出。
2、不连续涨停的龙头个股,用日线SAR指标判断,SAR指标是中线指标,中线持有该股,直到SAR指标第一次转为卖出信号。
第四部分 龙头股操作风险控制
龙头个股操作要遵循严格纪律:
(1) 实战操作的根本要求是客观化、定量化、保护化。实战中绝对不允许有模棱两可的操作情况出现,市场信号是实战操作的唯一,也是最高原则。
(2) 给出精确严格的止损点并誓死执行,则什么股票我们都敢做,因为风险已经被我们锁定,这是实战操盘手的最高实战行为圣经。
注意:实盘中,龙头个股止损点设立,强势市场以该股的第一个涨停板为止损点,弱势市场以3%为止损点,绝对不允许个股跌幅超过10%,如果跌幅超过10%,不应找任何理由,不要做主观幻想,立即止损;破止损的个股,不要做补仓动作,补仓是实盘操作中最蠢的。

Q5:为什么在有机太阳能电池中用异质结?有什么好处

同质结时光生电子容易跑到表面,产生表面复合电流损失,效率自然就低了。
异质结是受体和给体之间形成的,有益于电子分离提高器件效率。

Q6:HIT电池生产流程

HIT电池简介
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结. HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜(膜厚5~10nm)和背面侧的i/n型a-Si膜(膜厚5~10nm)夹住单结晶Si片的来构成的.
图一.

电池基板以硅基板为主;在硅基板上沉积高能隙 (Energy band gap)的硅奈米薄膜,表层再沉积透明导电膜,背表面有着背表面电场。
通过优化硅的表面织构,可以降低透明导电氧化层(TCO)和a-Si层的光学吸收损耗。HIT电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率,而增强n型c-Si的光吸收率。
图二.
HIT电池在技术上的优势
由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结,所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度(~900℃)相比较,大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征,减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤,对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的,具有业界领先的高转换效率(研究室水平为23%,量产水平为20%),即使在高温下,转换效率也极少降低,利用双面单元来提高发电量。
HIT电池的伏安曲线分析:
HIT电池里p/n 异质结中所发现的正向电流特性(0.4V 附近)的变化是由于a-Si 顶层膜中存在的高密度间隙态,引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此,在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si 膜(i 型a-Si 膜),通过顶层内的电场来抑制复合电流,这就是HIT 构造。通过导入约5nm 左右的薄膜i 型a-Si 层,可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i 型a-Si 层,能够大幅度提高Voc,见下图.
图三
化学钝化和HIT 构造的寿命关系
采用μ-PCD 法测定HIT电池的少子寿命。μ-PCD 法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面,但由于是在同一批(LOT)里抽出相邻的芯片,所以可认为体(BULK)的影响基本相同,所不同的是表面的差异。根据下图可以发现,HIT 构造的钝化性能要比化学钝化(CP 法)更优异。
图四

化学钝化
HIT 太阳能电池的Voc 和寿命之间的依存性
发现通过形成低损伤的a-Si膜和提高表面的清净度等可以提高寿命和Voc,Voc 和寿命之间是一种正的线性关系。即HIT构造中的a-Si 钝化性能的好坏和HIT 太阳电池的Voc 大小相关。所以,通过提高a-Si 的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT 太阳电池的输出电压是有效的。
图五

HIT电池单晶体硅的表面清洁度更高,同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良,这种电池的电能输出功率损失下降,开路电压得到了提高。
HIT 太阳电池优异的温度特性
HIT电池Voc越高输出特性的温度依存性越小。也就是说,在HIT 太阳电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发(即高Voc 化)带来了温度特性的提高.由于新电池在温度上升时发电量的损失降低,预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。
图六
HIT电池的制造工艺
HIT电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积,要求说沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低,掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低,最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前,普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积本征及掺杂的a-Si:H膜,同时热丝化学气相沉积发(HWCVD)制备a-Si:H法也被认为很有前景。
PECVD法制备a-Si:H薄膜
利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场,气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体,与普通气体相比,主要性质发生了本质的变化,是一种新物质聚集态。等离子体中放置其中的衬底可以保持在室温,而电子在电厂的激发下会得到足够多的能量(2-5eV),通过与分子的碰撞将其电离,激发。PECVD的缺点表现在两个方面,一是它的不稳定性,二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体,它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态,反应器壁的薄膜附着,电源的波动,气体的流速都会改变活性粒子的种类和数量,并且等离子体的均匀性也难以控制,这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照,除了会影响沉积膜的质量,还会影响下面的硅衬底。光谱相应的研究结果表明对于蓝光区,HIT电池的光谱相应提高,而在红光区,光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果,而对于硅片内部的损伤,则对红光部分,光谱相应降低,量子效率下降。对于这种情况,可以下调等离子体的功率,但是同时也会降低等离子体的稳定性。
HWCVD制备a-Si:H薄膜
热丝化学气相沉积HWCVD是利用热丝对气体进行催化和分解的软性过程,不会产生高能粒子轰击,对衬底的损伤较小,可以容易的移入或者移出沉积室,能够方便从实验室转换到生产线上。
在HIT电池中,非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后,缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触,这样会导致高缺陷,这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流,继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。
HIT电池工艺的改良方向
提高界面钝化效果
当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米时,电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在而变差,这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用,这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层,因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。
光陷结构和表面清洗
将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化,然后使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀,这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低,接近抛光硅的效果。
栅电极的优化设计
如果可以去除栅线的延展部分,纵横比提高1.0以后,效率可以在提高1.6%。这取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。